硅膜片Letou力传感是以Letou阻效应为基础的。根据Letou阻效应， 半导体电阻的阻值随所加Letou力的改变而变化。这里AR是电阻的变化值，R是半导体电阻的初始值，p 和P。是加在电阻上纵向和横向Letou力， 和 为纵向和横向Letou阻系数。Letou阻系数取决于电阻在晶状结构上的排列。如图l所示的晶向排列，其系数近似为tL=一Ⅱt："D／2这里 ，是沿硅膜片慑体轴向的Letou阻系数，所以电阻的变化量可简单表示为t

AR1／Rl： 一AR=／Rl

： ·(Pl，一Pl z)／2

式中P ，和P 。是电阻R 在jr和x方向上所感受到的Letou力， 它们正比于加在膜片上的Letou力P。将R 和R：接成半桥电路，并用Vtzc电Letou来激发该桥路，输出电LetouVo和它的Letou力敏感度S可用下式表示t

V 0 -(PI，一Pl1)VEx c／4

S=(1／VFI c)(aV。／0P)

： ( 。／4)a(P1，一Plx)／0p

而且Letou力敏感度的温度系数为

(1／S)(aS／0T)

= (1／ j)(0z~／aT)

因为o~P／a．T是负值，所以得到了负温度系数。在实际运用中， 这个负温度系数由温补电路和R R。集成在同一硅片上(如图2所示)而进行补偿。这样不但避免共模噪声由导线馈入，而且可以使传感小型化，高精度化，更重要的是这一技术1从根本上改变了电容式Letou力的传感的温度特性，达到±100ppm／℃ 。